[发明专利]沟槽栅IGBT芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201810397165.5 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110416079A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 姚尧;罗海辉;肖强 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈伟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅IGBT芯片的制作方法，包括步骤一：在晶圆基片上形成有源沟槽和虚栅沟槽，虚栅沟槽设置于有源沟槽之间；步骤二：在有源沟槽和虚栅沟槽内表面形成第二氧化层，并在有源沟槽和虚栅沟槽内填充多晶硅，形成实沟槽栅和虚沟槽栅；步骤三：在晶圆基片上表面以及实沟槽栅和虚沟槽栅上形成绝缘介质层；步骤四：对绝缘介质层上的第一预设位置进行刻蚀，至少裸露出下方对应的虚沟槽栅和实沟槽栅与虚沟槽栅之间的部分晶圆基片，形成第一接触窗口。本申请通过在有源沟槽之间插入一个或多个虚栅沟槽，利用虚栅沟槽自身的宽度以及虚栅沟槽之间的间距来增加金属接触孔的尺寸，从而降低金属接触窗口的形成工艺以及金属填孔的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽栅 虚栅 晶圆 绝缘介质层 沟槽内表面 基片上表面 金属接触孔 工艺难度 接触窗口 金属接触 预设位置 多晶硅 氧化层 刻蚀 填孔 填充 制作 裸露 金属 申请 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅IGBT芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在晶圆基片上形成有源沟槽和虚栅沟槽，所述虚栅沟槽设置于所述有源沟槽之间；步骤二：在所述有源沟槽和所述虚栅沟槽内表面形成第二氧化层，并在所述有源沟槽和所述虚栅沟槽内填充多晶硅，形成实沟槽栅和虚沟槽栅；步骤三：在所述晶圆基片上表面以及所述实沟槽栅和虚沟槽栅上形成绝缘介质层；步骤四：对所述绝缘介质层上的第一预设位置进行刻蚀，至少裸露出下方对应的所述虚沟槽栅以及所述实沟槽栅与虚沟槽栅之间的部分晶圆基片，形成第一接触窗口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代电气股份有限公司，未经株洲中车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810397165.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
