[发明专利]半导体设备有效
| 申请号： | 201810390512.1 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108806743B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 横山佳巧;桥爪毅;佐野聪明 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;张昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体设备包括：存储器单元，具有通过从电源线VSS和VDD施加的电压驱动的存储器单位；以及存储器单元电位控制器，用于调整施加于存储器单位的电压的电位。存储器单元电位控制器包括设置在电源线VSS和ARVSS之间的第一电位调整部以及设置在电源线VDD与ARVSS之间的第二电位调整部。此外，存储器单元电位控制器通过第一电位调整部基于在电源线VSS与存储器单位的第一端部之间提供的第一电流来调整电源线ARVSS的电位，并且通过第二电位调整部调整在电源线VDD与ARVSS之间提供的第二电流，从而快速地稳定施加于存储器单位的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，包括：存储器单元，包括通过从第一源和第二源施加的电压驱动的存储器单位；以及存储器单元电位控制器，用于调整施加于所述存储器单位的所述电压的电位，其中所述存储器单元电位控制器包括第一电位调整部和第二电位调整部，其中所述存储器单元电位控制器通过所述第一电位调整部在所述第一源和所述存储器单位的第一端部之间提供第一电流，其中所述存储器单元电位控制器通过所述第二电位调整部在所述第二源和所述存储器单位的所述第一端部之间提供第二电流，并且其中所述存储器单元电位控制器基于所述第一电流、所述第二电流和在所述存储器单位的所述第一端部和第二端部之间流动的泄漏电流调整所述存储器单位的所述第一端部的电位。
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