[发明专利]一种高效异质结电池CVD后制程不良返工工艺方法

摘要

本发明公开了一种高效异质结电池CVD后制程不良返工工艺方法。它包括以下步骤：A、将CVD后返工片利用CP槽药液进行第一次重复清洗去除非晶硅膜层；B、经过步骤A后制绒添加剂辅助下进行微制绒；C、利用PECVD工艺，在硅片上下表面沉积非晶硅膜层，厚度为8‑10nm，然后再上下分别沉积掺杂非晶硅膜层；D、利用PVD/RPD工艺沉积TCO导电膜；E、利用丝网印刷技术进行金属化，形成金属电极。采用上述的方法后，将非晶硅膜层的去除与重新微制绒分开进行，巧妙地利用CP槽寿命末期药液进行非晶硅去除；然后进行短时间微制绒，这样一批返工片分两次进行清洗，即大大降低了返工成本，又保证了返工片清洗质量，同时还避免了由于清洗返工片而带来的槽体及药液污染。

主权项

1.一种高效异质结电池CVD后制程不良返工工艺方法，包括以下步骤：A、将CVD后返工片利用CP槽药液进行第一次重复清洗去除非晶硅膜层；B、经过步骤A后进行第二次重复清洗进行微制绒；C、利用PECVD工艺，在硅片上下表面沉积非晶硅膜层，厚度为8‑10nm，然后再上下分别沉积8‑10nm掺杂非晶硅膜层；D、利用PVD/RPD工艺在n/p‑a‑Si:H膜层上沉积TCO导电膜；E、利用丝网印刷技术进行金属化，形成金属电极。