[发明专利]一种单片集成MEMS压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810331710.0 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108645559A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 周浩楠;张威;苏卫国;李宋;陈广忠;詹清颖;张亚婷 | 申请（专利权）人： | 北京协同创新研究院;北京大学 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100094 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成MEMS压力传感器及其制备方法。本发明的单片集成MEMS压力传感器包括：单片集成压力芯片、压力缓冲层、基板、引脚框、导线和塑封体；其中，单片集成压力芯片的内部集成单晶硅压力敏感薄膜、压阻式压力敏感电桥和信号调理电路。本发明的单片集成MEMS压力传感器具有机械和电子系统高度集成、批量大、成本低、体积小等特点，适应多种小尺寸应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 单片集成 压力芯片 制备 信号调理电路 压力敏感薄膜 压力缓冲层 单晶硅 电子系统 高度集成 内部集成 压力敏感 塑封体 体积小 压阻式 引脚框 电桥 基板 | ||
【主权项】：
1.一种单片集成MEMS压力传感器，其特征在于，所述单片集成MEMS压力传感器包括：单片集成压力芯片(1)、压力缓冲层(2)、基板(3)、引脚框(4)、导线(5)和塑封体(6)；其中，单片集成压力芯片(1)的内部集成单晶硅压力敏感薄膜(8)、压阻式压力敏感电桥(9)和信号调理电路(10)。
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