[发明专利]一种聚乳酸基疏水薄膜的制备方法有效
申请号: | 201810328998.6 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN108559084B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 唐颂超;吴单;王婷兰;姚远;王刚;毕伯威;王婧琳;张文凭;华启侠 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | C08G77/445 | 分类号: | C08G77/445;C08G63/06;C08G63/85;C08G63/83;C08J5/18;C08J7/00;C08L67/04;C08L83/10 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 李鸿儒 |
地址: | 200137 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种聚乳酸基疏水薄膜的制备方法,包括以下步骤:将左旋聚乳酸聚合物溶液制成左旋聚乳酸聚合物薄膜,将三嵌段共聚物PDLA‑PDMS‑PDLA溶液旋涂于上述左旋聚乳酸聚合物薄膜基体之上,经过退火处理,获得所述聚乳酸基疏水薄膜。本发明的聚乳酸基疏水薄膜的制备方法简单高效,工艺条件容易控制,可以制备出均匀的疏水薄膜,具有较大的实际应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 乳酸 疏水 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种聚乳酸基疏水薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:将左旋聚乳酸聚合物溶液制成左旋聚乳酸聚合物薄膜,将三嵌段共聚物PDLA‑PDMS‑PDLA溶液旋涂于上述左旋聚乳酸聚合物薄膜基体之上,经过退火处理,获得所述聚乳酸基疏水薄膜。
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