[发明专利]一种硅纳米线/钒酸铋复合光阳极的制备方法在审
申请号: | 201810327327.8 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN108642511A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 黄兰艳;王新;陈志鸿;水玲玲;金名亮;周国富 | 申请(专利权)人: | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
主分类号: | C25B1/04 | 分类号: | C25B1/04;C25B11/06 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 任重 |
地址: | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅纳米线/钒酸铋复合光阳极的制备方法,包括在单晶硅片表面腐蚀出垂直规整的硅纳米线阵列;然后配制钒酸铋的前驱体溶液,前驱体溶液中溶质为五水合硝酸铋和乙酰丙酮氧钒,溶剂为冰乙酸和乙酰丙酮;再将前驱体溶液滴在硅纳米线表面,晾干后,反复滴涂再晾干;最后将滴凃后的样品煅烧,得到所述硅纳米线/钒酸铋复合光阳极。本发明提供的硅纳米线/钒酸铋复合光阳极改善了钒酸铋光生载流子传输效率低、纳米材料易团聚、光催化性能离理论效率相差较远的问题,选择了独特的硅纳米线与钒酸铋形成复合结构,与其他复合结构相比,除了提升电荷分离效率,还同时极大增强了电极的光吸收和催化能力,并获得了优异的光电化学性能。 | ||
搜索关键词: | 钒酸铋 硅纳米线 复合光阳极 前驱体溶液 复合结构 晾干 制备 单晶硅片表面 电荷分离效率 光电化学性能 硅纳米线阵列 五水合硝酸铋 乙酰丙酮氧钒 光催化性能 光生载流子 传输效率 催化能力 理论效率 纳米材料 乙酰丙酮 规整 冰乙酸 光吸收 电极 溶剂 滴涂 溶质 煅烧 配制 团聚 垂直 腐蚀 | ||
【主权项】:
1.一种硅纳米线/钒酸铋复合光阳极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1.在单晶硅片表面腐蚀出垂直规整的硅纳米线阵列;S2.配制钒酸铋的前驱体溶液,前驱体溶液中溶质为五水合硝酸铋和乙酰丙酮氧钒,溶剂为冰乙酸和乙酰丙酮;S3.将步骤S2得到的前驱体溶液滴在步骤S1制备得到的硅纳米线表面,晾干后,反复滴涂再晾干;S4.将步骤S3得到的硅纳米线表面滴涂有多层前驱体溶液的样品煅烧,得到所述硅纳米线/钒酸铋复合光阳极;步骤S2中五水合硝酸铋的浓度为10~80mM,乙酰丙酮氧钒的浓度为10~80mM,乙酸和乙酰丙酮的体积比为(10~30):(1~2)。
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