[发明专利]基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法有效
| 申请号： | 201810326712.0 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108550566B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 杨英坤;张龙;李俊焘;代刚;肖承全;古云飞;银杉;张林;徐星亮;向安;周阳;李志强;崔潆心 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/373;H01L21/04;H01L21/768;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法，该互连结构包含纳米银焊膏和陶瓷板，用纳米银焊膏填充陶瓷板的通孔，烧结形成导电通路，进一步通过纳米银焊膏烧结，实现芯片电极的堆叠互连；陶瓷基板作为绝缘板以及垫高层，增加两芯片的距离，避免芯片间的边缘击穿效应；该互连结构的连接可实现多个芯片的纵向互连，且所选材料包含陶瓷基板和纳米银焊膏，纳米银焊膏烧结后主要成分为银，其导电性能与耐温性能与纯银相近，均为耐高温材料，可用于大功率芯片的互连；与其他封装形式相比，结构简单，可操作性强，且具有较普遍的适用性，是实现高温高压堆叠封装的简单有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 银焊膏 sic 器件 三维 堆叠 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构，其特征在于，该互连结构是由陶瓷基板和纳米银焊膏组成，首先通过纳米银焊膏填充陶瓷片通孔，然后通过纳米银焊膏实现连接芯片各电极的连接。
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