[发明专利]Pt修饰Fe2O3包裹CuFeO2光阴极及制备方法

摘要

本发明Pt修饰Fe₂O₃包裹CuFeO₂光阴极，由表面向下逐层为Pt催化剂颗粒层、Fe₂O₃包裹CuFeO₂颗粒薄膜层、ITO导电玻璃衬底，Fe₂O₃包裹CuFeO₂颗粒薄膜层中Fe₂O₃与CuFeO₂之间构成包裹结构，表面的Fe₂O₃在CuFeO₂与Pt催化剂颗粒层之间形成过渡层，消除该界面处的上翘势垒，提高光阴极的光电流密度和产氢效率。本发明的Pt修饰Fe₂O₃包裹CuFeO₂光阴极及制备方法，克服现有CuFeO₂薄膜光电极制备温度高、容易破坏ITO导电玻璃衬底的导电性与透光性及CuFeO₂与Pt催化剂颗粒层之间形成上翘势垒的缺点，具有稳定性好、可见光响应、光电流密度大和开启电压高等特点。

主权项

1.Pt 修饰Fe₂O₃ 包裹CuFeO₂ 光阴极，其特征在于，所述光阴极由表面向下逐层为Pt 催化剂颗粒层（3）、Fe₂O₃ 包裹CuFeO₂ 颗粒薄膜层（2）、ITO 导电玻璃衬底（1），所述Pt 催化剂颗粒层（3）中的Pt 颗粒沉积在Fe₂O₃包裹CuFeO₂ 颗粒薄膜层（2）表面，Fe₂O₃包裹CuFeO₂颗粒薄膜层（2）中Fe₂O₃与CuFeO₂之间构成包裹结构，表面的Fe₂O₃在CuFeO₂与Pt 催化剂颗粒层（3）之间形成过渡层，所述Fe₂O₃包裹CuFeO₂颗粒薄膜层（2）的厚度为1‑1.2μm，所述Pt 催化剂颗粒层（3）中的Pt 颗粒的平均直径为30‑40nm。