[发明专利]堆叠式MOSFET电路和操作堆叠式MOSFET电路的方法

摘要

本发明涉及堆叠式MOSFET电路和操作堆叠式MOSFET电路的方法。示例性MOSFET电路包括具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET。所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极。该MOSFET电路还包括控制器，所述控制器配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号，以在第一MOSFET的漏‑源电压和第二MOSFET的漏‑源电压基本上为零时接通或关断第一MOSFET和第二MOSFET。还公开了其他MOSFET电路以及操作MOSFET电路的方法。

主权项

1.一种MOSFET电路，包括：具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET，所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极；以及控制器，所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号，以在所述第一MOSFET的漏‑源电压和所述第二MOSFET的漏‑源电压基本上为零时接通或关断所述第一MOSFET和所述第二MOSFET。