[发明专利]基于CsPbX3钙钛矿量子点的阻变存储器及制备方法在审

专利信息
申请号: 201810298928.0 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108447984A 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 周晔;王燕;韩素婷;陈锦锐;王展鹏 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了基于CsPbX3钙钛矿量子点的阻变存储器及制备方法,其中,阻变存储器从下至上依次包括:柔性基底、底电极、第一聚合物层、CsPbX3钙钛矿量子点层、第二聚合物层、顶电极,其中,X=Cl、Br或I,所述底电极和所述顶电极至少有一个为透明电极。本发明将CsPbX3钙钛矿量子点与聚合物采用三明治的结构制成活性层,两侧的聚合物可以很好的将CsPbX3钙钛矿量子点保护起来,提高了器件的稳定性,同时CsPbX3量子点的尺寸可以通过过滤筛选,进一步提高存储器的电学性能和存储性能的稳定性;并且聚合物与CsPbX3钙钛矿量子点结合具有极好的柔性,可实现器件较好的机械性。
搜索关键词: 钙钛矿 量子点 阻变存储器 聚合物 聚合物层 底电极 顶电极 制备 三明治 存储性能 电学性能 量子点层 柔性基底 透明电极 存储器 活性层 机械性 过滤 筛选
【主权项】:
1.一种阻变存储器,其特征在于,从下至上依次包括:柔性基底、底电极、第一聚合物层、CsPbX3钙钛矿量子点层、第二聚合物层、顶电极,其中,X=Cl、Br或I,所述底电极和所述顶电极中的至少一种为透明电极。
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