[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构的制造方法，其包含在基板上依序形成目标层、底部硬遮罩层、中间硬遮罩层及顶部硬遮罩层。之后形成第一遮罩层在顶部硬遮罩层上，其中，第一遮罩层具有多个开口暴露出顶部硬遮罩层的一部分。接着蚀刻顶部硬遮罩层的暴露部分以形成图案化顶部硬遮罩层，图案化顶部硬遮罩层具有多个孔隙暴露出中间硬遮罩层的一部分。之后，形成图案化有机层在中间硬遮罩层的暴露部分上。蚀刻图案化顶部硬遮罩层、图案化有机层、中间硬遮罩层、底部硬遮罩层及目标层的一部分形成图案化目标层。此方法可避免在图案转印工艺期间图案化层的损坏。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：在基板上依序形成目标层、底部硬遮罩层、中间硬遮罩层以及顶部硬遮罩层；在所述顶部硬遮罩层上形成第一遮罩层，其中所述第一遮罩层具有多个开口暴露所述顶部硬遮罩层的一部分；蚀刻所述顶部硬遮罩层的所述暴露部分以形成图案化顶部硬遮罩层，其中所述图案化顶部硬遮罩层具有多个孔隙暴露出所述中间硬遮罩层的一部分；在所述中间硬遮罩层的所述暴露部分上形成图案化有机层；以及蚀刻所述图案化顶部硬遮罩层、所述图案化有机层、所述中间硬遮罩层、所述底部硬遮罩层以及所述目标层的一部分以形成图案化目标层，其中所述图案化目标层具有多个凹槽。