[发明专利]一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，先将ST即SrTiO3靶材和Ag靶材及衬底装入磁控溅射腔体内；系统的本底真空度抽至3.0×10‑3Pa以下，使用氩气和氧气混合作为溅射气体溅射SrTiO3层，氧气与氩气体积比为0～1:1～2，溅射总气压为0.3～15Pa，靶材与衬底的距离为40～120mm，溅射功率为30～180W，进行沉积得到SrTiO3薄膜层，SrTiO3薄膜层的厚度为10～200nm；再溅射Ag薄膜层，其厚度为3～20nm；再沉积得到SrTiO3薄膜层，厚度为10～200nm，制得ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜。本发明利用磁控溅射技术制备的ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜，性能优良，成本低廉，适合工业化生产。

主权项

1.一种ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜的制备方法，具有如下步骤：(1)将ST即SrTiO3靶材和Ag靶材装入磁控溅射腔体内；(2)先后用无水乙醇和去离子水超声清洗衬底30分钟，并用氮气吹干，放入磁控溅射腔体中；所述衬底为石英、玻璃、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸或者聚萘二甲酸乙二醇酯的透明衬底；(3)再将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10‑3Pa以下，使用氩气和氧气混合作为溅射气体溅射SrTiO3层，氧气与氩气体积比为0～1:1～2，溅射总气压为0.3～15Pa，靶材与衬底的距离为40～120mm，溅射功率为30～180W，进行沉积得到SrTiO3薄膜层，SrTiO3薄膜层的厚度为10～200nm；(4)步骤(3)完成后，开始溅射Ag薄膜层，将真空度抽至3.0×10‑4Pa，然后通入0.3～15Pa的氩气，靶材与衬底的距离为4‑12cm，溅射功率20～200W，沉积得到Ag薄膜层，Ag薄膜层的厚度为3～20nm；(5)步骤(4)完成后，重复步骤(3)，将磁控溅射系统的本底真空度抽至3.0×10‑3Pa以下，使用氩气和氧气混合作为溅射气体溅射SrTiO3层，氧气与氩气体积比为0～1:1～2，溅射总气压为0.3～15Pa，溅射功率为30～180W，靶材与衬底的距离为4‑12cm，进行沉积得到SrTiO3薄膜层，SrTiO3薄膜层的厚度为10～200nm，制得ST/Ag/ST结构多层透明导电薄膜。