[发明专利]一种虚拟接地闪存读取电路有效
| 申请号： | 201810254477.0 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108511021B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/08;G11C16/24;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种虚拟接地闪存读取电路，包括：虚拟接地闪存阵列、列译码电路、电压控制电路以及灵敏放大器，所述电压控制电路用于将选中存储单元邻近存储单元的两条位线对应的列译码单元的另一端相连，并将该两条位线后的两条位线的位线电压通过电压跟随器调整为与选中存储单元的位线电压一致以避免读出电流损耗或被干扰，本发明可提高虚拟接地闪存电路读操作输出的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 虚拟 接地 闪存 读取 电路 | ||
【主权项】：
1.一种虚拟接地闪存读取电路，包括：虚拟接地闪存阵列、列译码电路、电压控制电路以及灵敏放大器，其特征在于：所述电压控制电路用于将选中存储单元邻近存储单元的两条位线对应的列译码单元的另一端相连，并将该两条位线后的两条位线的位线电压通过电压跟随器调整为与选中存储单元的位线电压一致以避免读出电流损耗或被干扰。
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