[发明专利]基于掺杂钛酸锶薄膜的低功耗电阻开关存储单元及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810247320.5 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108447983B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 邱晓燕;江雪;魏明龙 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 50123 重庆华科专利事务所 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于掺杂钛酸锶薄膜的低功耗电阻开关存储单元及其制备方法和应用，包括自下而上依次设置的衬底层、下电极层、阻变层和上电极层，所述阻变层为在钛酸锶薄膜中掺杂Fe元素的Fe/钛酸锶薄膜阻变层，所述Fe的掺杂量为1～10at％。其置位/复位电压小、开/关电流比大，并具有良好的电阻开关稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻开关 阻变层 制备方法和应用 掺杂钛酸锶 钛酸锶薄膜 存储单元 低功耗 薄膜 复位电压 下电极层 依次设置 掺杂量 衬底层 电极层 电流比 置位 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种基于掺杂钛酸锶薄膜的低功耗电阻开关存储单元，包括自下而上依次设置的衬底层、下电极层、阻变层和上电极层，其特征在于：所述阻变层为在钛酸锶薄膜中掺杂Fe元素的Fe/钛酸锶薄膜阻变层，所述Fe的掺杂量为1~10at%；所述下电极层为Pt电极层，所述Pt电极层的厚度为50~200nm，所述上电极层为Ag电极层，所述Ag电极层的厚度为50~300nm；/n所述基于掺杂钛酸锶薄膜的低功耗电阻开关存储单元的制备方法包括如下步骤：/n步骤一，在衬底上通过直流磁控溅射方法制备下电极层；/n步骤二，对带有下电极层的衬底进行温度为300~800℃的预热，然后在所述下电极层上通过射频磁控共溅射方法制备Fe/钛酸锶薄膜阻变层，其工艺条件为：以纯度为99.9%的钛酸锶陶瓷靶和纯度为99.9%的Fe靶为溅射靶材，腔室真空度＜5×10
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南大学，未经西南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810247320.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
