[发明专利]III-V族核壳量子点的制备方法及含其的器件、组合物在审
| 申请号： | 201810200701.8 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108384531A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 高静;乔培胜;汪均;余文华;谢阳腊;苏叶华 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种III‑V族核壳量子点的制备方法及含其的器件、组合物。该制备方法包括：S1，在含III‑V族量子点核的溶液中，加入第一锌前体和第一阴离子前体加热反应生长第一壳层；S2，加入第二锌前体和第二阴离子前体加热反应生长第二壳层，得到III‑V族核壳量子点；其中，第一锌前体和第二锌前体为不同反应活性的锌前体。通过交替加入不同反应活性的锌前体，有效地控制壳层的生长；低活性的锌前体有效地保护了III‑V族量子点核的表面，保证了量子点的均一度，限制了半峰宽的增长；高活性的锌前体既作为路易斯酸，又提供锌源，能够对量子点表面进行蚀刻处理，消除表面悬键，增加发光性能，有利于提高量子点的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 锌前体 量子点 核壳量子点 壳层 制备 阴离子前体 反应活性 加热反应 生长 量子点表面 有效地控制 发光性能 量子效率 路易斯酸 蚀刻处理 半峰宽 低活性 高活性 有效地 锌源 悬键 申请 保证 | ||
【主权项】：
1.一种III‑V族核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1，在含III‑V族量子点核的溶液中，加入第一锌前体和第一阴离子前体加热反应生长第一壳层；S2，加入第二锌前体和第二阴离子前体加热反应生长第二壳层，得到III‑V族核壳量子点；其中，所述第一锌前体和所述第二锌前体为不同反应活性的锌前体。
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