[发明专利]一种n型磷掺杂金刚石薄膜制备过程中去除氢杂质的方法与装置有效
| 申请号： | 201810180384.8 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN108217644B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;申胜男;李辉;沈威;彭庆;严晗 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01B32/28 | 分类号： | C01B32/28 |
| 代理公司： | 42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 齐晨涵;姜学德 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种n型磷掺杂金刚石薄膜制备过程中去除氢杂质的方法与装置，在n型磷掺杂金刚石薄膜制备过程中同时施加飞秒激光与温度场，飞秒激光仅将n型磷掺杂金刚石薄膜中的磷氢键价电子激发到激发态；温度场仅将价电子激发到激发态的磷氢键断裂；从而去除薄膜中的氢元素。通过在n型磷掺杂金刚石薄膜的制备过程中施加飞秒激光与温度场，断裂n型磷掺杂金刚石薄膜中的磷氢键，去除薄膜中的氢元素，进而改善n型磷掺杂金刚石的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 磷掺杂 金刚石薄膜 制备过程 去除 飞秒激光 磷氢键 温度场 激发态 价电子 氢元素 氢杂质 薄膜 断裂 施加 电学性能 金刚石 激发 | ||
【主权项】：
1.一种n型磷掺杂金刚石薄膜制备过程中去除氢杂质的方法，其特征在于：/n在n型磷掺杂金刚石薄膜制备过程中同时施加飞秒激光与温度场，飞秒激光仅将n型磷掺杂金刚石薄膜中的磷氢键价电子激发到激发态；温度场仅将价电子激发到激发态的磷氢键断裂；从而去除薄膜中的氢元素。/n
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