[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，该存储器包括基底、多个隔离结构、多个导体结构组、多个位线结构以及多个间隙壁。基底具有多个有源区。隔离结构位于基底中且沿着第一方向延伸。各隔离结构设置于两个相邻的所述有源区之间。导体结构组沿着第一方向平行配置于基底上。位线结构沿着第二方向平行配置于基底上。位线结构贯穿导体结构组。间隙壁沿着第二方向平行配置于位线结构的侧壁上，以电性隔离位线结构与导体结构组。

主权项

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：基底，具有多个有源区，所述有源区配置成带状且排列成一阵列；多个隔离结构，位于所述基底中且沿着第一方向延伸，其中各所述隔离结构设置于两个相邻的所述有源区之间；多个导体结构组，沿着所述第一方向平行配置于所述基底上，其中各所述导体结构组与排列成同一行的各所述有源区相连，以于各所述有源区上形成第一接触区与第二接触区；多个位线结构，沿着第二方向平行配置于所述基底上，其中所述位线结构贯穿所述导体结构组，且各所述位线结构与排列成同一行的所述有源区相连，以于所述第一接触区与所述第二接触区之间形成第三接触区；以及多个间隙壁，沿着所述第二方向平行配置于所述位线结构的侧壁上，以电性隔离所述位线结构与所述导体结构组。