[发明专利]一种氮化铝膜的生长方法和应用有效
| 申请号： | 201810171796.5 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108538968B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;梁旭东;郑远志 | 申请（专利权）人： | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陶敏;黄健<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化铝膜的生长方法和应用，生长方法包括以下步骤：1)通入三甲基铝和氨气，在衬底上生成第一氮化铝层；2)对第一氮化铝层进行纳米级柱体蚀刻处理，得到柱体凹陷氮化铝层，所述柱体凹陷氮化铝层中具有多个纳米级柱体凹陷；3)控制反应室的温度和压力，通入三甲基铝和氨气，在柱体凹陷氮化铝层上生成第二氮化铝层；4)控制反应室的温度和压力，通入三甲基铝和氨气，在第二氮化铝层上生成第三氮化铝层；其中，步骤3)中氨气和三甲基铝的摩尔流量比小于步骤4)中氨气和三甲基铝的摩尔流量比；氮化铝膜为第一氮化铝层、第二氮化铝层和第三氮化铝层的集合。本发明能够显著提高AlN薄膜晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝层 氨气 三甲基铝 柱体 凹陷 氮化铝膜 摩尔流量 反应室 纳米级 生长 蚀刻处理 衬底 应用 集合 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铝膜的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)将衬底层放入生长设备的反应室后，通入三甲基铝和氨气，在所述衬底上生成厚度为200-2000nm的第一氮化铝层；/n2)将生长有第一氮化铝层的衬底层从反应室中取出，对所述第一氮化铝层进行纳米级柱体蚀刻处理，得到柱体凹陷氮化铝层，所述柱体凹陷氮化铝层中具有多个纳米级柱体凹陷；/n3)控制所述反应室的温度为1300-1500℃，压力为20-100mbar，通入三甲基铝和氨气，在所述柱体凹陷氮化铝层上生成厚度为200-1000nm的第二氮化铝层；/n4)控制所述反应室的温度为1100-1400℃，压力为50-300mbar，通入三甲基铝和氨气，在所述第二氮化铝层上生成厚度为500-4000nm的第三氮化铝层；/n其中，步骤3)中氨气和三甲基铝的摩尔流量比小于步骤4)中氨气和三甲基铝的摩尔流量比；所述氮化铝膜为所述第一氮化铝层、第二氮化铝层和第三氮化铝层的集合；/n所述纳米级柱体凹陷是指每个柱体凹陷的尺寸在纳米级且相邻两个级柱体凹陷的间距也为纳米级。/n
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