[发明专利]高电压半导体装置有效
| 申请号： | 201810161000.8 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108987457B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 金宁培 | 申请（专利权）人： | 启方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电压半导体装置。所述高电压半导体装置包括第一区、第二区和互连区。第一区包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)装置。LDMOS装置包括：N型高浓度源极区；P型高浓度拾取区，其中，N型高浓度源极区和P型高浓度拾取区形成在P型第一主体区中；漏极区；P型掩埋掺杂层，形成在绝缘层的底表面下面。第二区包括：第二主体区；P型第一高掺杂区和P型第二高掺杂区，其中，P型第一高掺杂区和P型第二高掺杂区形成在第二主体区中；N型第三高掺杂区；第二掩埋掺杂区。互连区将第一区连接到第二区。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高电压半导体装置，包括：半导体基底；第一区，形成在半导体基底中，第一区包括：N型第一半导体区；N型漏极区，形成在N型第一半导体区中；P型第一主体区；N型源极区，形成在P型第一主体区中；和栅电极，形成在N型源极区与N型漏极区之间；第二区，形成在半导体基底中，第二区包括：N型第二半导体区；和P型第二主体区，形成在N型第二半导体区中；互连区，设置在第一区与第二区之间，互连区包括：第一绝缘层，形成在N型第一半导体区与N型第二半导体区之间；金属互连部，形成在第一绝缘层上；和隔离区，形成在半导体基底中，并设置在第一绝缘层下面。
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