[发明专利]一种掺杂添加剂的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201810119782.9 申请日: 2018-02-06
公开(公告)号: CN108321300A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 杭州纤纳光电科技有限公司
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/46
代理公司: 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 代理人: 杨文华
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种掺杂添加剂的钙钛矿薄膜,在所述钙钛矿薄膜内掺杂有添加剂,所述添加剂为金属离子M与卤素离子G形成的稳定剂。本发明还公开了一种掺杂添加剂的钙钛矿薄膜的制备方法和应用,通过在钙钛矿薄膜的制备过程中,掺入适量的添加剂,通过添加剂抑制钙钛矿薄膜材料中碘离子的移动,从而达到稳定材料本身的作用,使得由此制备的钙钛矿电池的长期稳定性得到提升,提高钙钛矿电池的性能,使得其使用寿命显著延长,而且还促进工业化生产。
搜索关键词: 钙钛矿薄膜 添加剂 掺杂 制备方法和应用 钙钛矿 电池 长期稳定性 金属离子 卤素离子 使用寿命 稳定材料 制备过程 碘离子 稳定剂 掺入 制备 移动
【主权项】:
1.一种掺杂添加剂的钙钛矿薄膜,其特征在于,在所述钙钛矿薄膜内掺杂有添加剂,所述添加剂为金属离子M与卤素离子G形成的稳定剂,其化合物式为MG,其中,所述金属离子M包括稀土离子、锂离子、钠离子、钾离子、氢离子、钙离子、镁离子、钡离子、铝离子中的任意一种离子,或者包括一价铜离子、二价铜离子、一价银离子、二价铁离子、三价铁离子、二价锰离子、四价锰离子、六价锰离子、七价锰离子、锌离子、一价镍离子、二价镍离子、钴离子、钛离子、铬离子、铪离子、钽离子、锆离子、钼离子、铌离子中的任意一种离子,或者包括铵根离子、BF3离子、B2H6离子、砷离子、锑离子、缺电子π键离子中的任意一种离子,所述卤素离子G为碘、溴、氯中任意一种离子。
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