[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810097658.7 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110098175B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L27/088;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法中，在形成第一导电结构之后，先利用层间介质层形成介质沟槽，在介质沟槽的侧壁上依次形成牺牲侧墙和隔离侧墙并在介质沟槽的剩余空间中形成第二导电结构，在移除所述牺牲侧墙后的位置形成气隙，并使用覆盖层密封所述气隙的顶部，利用这种气隙的介电常数低的优点，减小第一导电结构和第二导电结构之间的寄生电容，进而有效地改善器件性能，适用于7nm及以下技术节点的FINFET器件等半导体器件的制造。本发明的半导体器件，利用第二导电结构和第一导电结构之间存在的气隙，减小第一导电结构和第二导电结构之间的寄生电容，进而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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