[发明专利]一种在辐射近场区重建天线阵远场方向图的近场测试方法有效
申请号: | 201810092664.3 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN108594026B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 刘培钦;张志军;李越 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R29/10 | 分类号: | G01R29/10 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 段俊涛 |
地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
一种在辐射近场区重建天线阵远场方向图的近场测试方法,属于天线测量技术领域,通过对待测天线阵中各天线单元进行相位修正,在辐射近场区中给定距离下重建天线阵远场方向图,相位修正是指由天线阵远场方向图波束指向(θ |
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【主权项】:
1.一种在辐射近场区重建天线阵远场方向图的近场测试方法,通过对待测天线阵中各天线单元进行相位修正,在辐射近场区中给定距离下重建天线阵远场方向图,其特征在于,所述相位修正是指由天线阵远场方向图波束指向![]()
和近场测试距离R共同决定各天线单元的相位分布。
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