[发明专利]一种基于蒽结构的空穴传输材料及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 201810084342.4 申请日: 2018-01-29
公开(公告)号: CN108314625B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 邵光;贾相锐;余恵娟;陈剑 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C07C217/84 分类号: C07C217/84;C07C213/08;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 陈卫
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于蒽结构的空穴传输材料及其制备方法与应用,所述空穴传输材料为一种新型的以蒽为核、烯键为桥、三芳胺为侧基的有机小分子空穴传输材料,其化学结构式如式(I)所示:;其中,R为三芳胺及其衍生物构成的基团;本发明提供的空穴材料以蒽为核心同时引入烯键连接三芳胺,其较大的二维共轭平面结构可有效提升空穴迁移率,且具有较好的平面堆积作用,缩短了分子相互作用距离,强化了空穴传输能力,使此类材料可作为空穴传输材料应用于太阳电池等电子器件,具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 基于 结构 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种基于蒽结构的空穴传输材料,其特征在于,所述空穴传输材料的化学结构式如式(I)所示:;其中,R为三芳胺或其衍生物构成的基团。
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