[发明专利]大光敏面超导纳米线单光子探测器

摘要

本发明提供一种大光敏面超导纳米线单光子探测器，包括至少一层超导纳米线结构，超导纳米线结构包括：若干条平行间隔排布的直线部，包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线；若干个第一连接部，将直线部依次首尾连接成蜿蜒状；若干个第二连接部，位于直线部内，且位于直线部内平行间隔排布的超导纳米线之间；位于同一直线部内的若干个第二连接部平行间隔排布；沿平行于所述直线部的方向，超导纳米线结构对应于写场拼接处的部分为第二连接部；沿垂直于直线部的方向，超导纳米线结构对应于写场拼接处的部分为相邻直线部之间的间隙。本发明可以避免写场拼接误差对超导纳米线核心区域的影响，从而不可以确保大光敏面超导纳米线单光子探测器的性能。

主权项

1.一种大光敏面超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述大光敏面超导纳米线单光子探测器包括至少一层超导纳米线结构，所述超导纳米线结构基于电子束曝光工艺进行多次写场拼接曝光而形成，其中，所述超导纳米线结构包括：若干条平行间隔排布的直线部，所述直线部包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线；若干个第一连接部，所述第一连接部将所述直线部依次首尾连接成蜿蜒状，且各所述直线部内的所述超导纳米线经由所述第一连接部相连接；若干个第二连接部，所述第二连接部位于所述直线部内，且位于所述直线部内平行间隔排布的所述超导纳米线之间，并将所述直线部内相邻的所述超导纳米线相连接；位于同一所述直线部内的若干个所述第二连接部平行间隔排布；沿平行于所述直线部的方向，所述超导纳米线结构对应于写场拼接处的部分为所述第二连接部；沿垂直于所述直线部的方向，所述超导纳米线结构对应于写场拼接处的部分为相邻所述直线部之间的间隙。