[发明专利]膜表面氢键复合物粒子的原位生长与雾度控制方法有效
| 申请号： | 201810081965.6 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108409996B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 林锋;杨曙光;张彩虹;韦莉 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;C03C17/34 |
| 代理公司： | 上海统摄知识产权代理事务所(普通合伙) 31303 | 代理人： | 金利琴 |
| 地址： | 201620 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种膜表面氢键复合物粒子的原位生长与雾度控制方法，对基膜进行预处理在基膜表面上引入氢键供体后依次交替沉积氢键受体和带氢键供体粒子或者对基膜进行预处理在基膜表面上引入氢键受体后依次交替沉积带氢键供体粒子和氢键受体，带氢键供体粒子是由过量的氢键供体与氢键受体通过氢键作用结合而成的表面附着氢键供体的粒子，基膜表面的带氢键供体粒子随着交替次数的增加原位生长，通过控制粒子的原位生长实现雾度的控制，制得雾度膜。最终制得的雾度膜表面附着有与膜表面氢键作用的氢键复合物粒子，其雾度为0～98％，光透过率为80～93％。本发明方法简便，工艺合理，对雾度控制效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 氢键 复合物 粒子 原位 生长 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.膜表面氢键复合物粒子的原位生长与雾度控制方法，其特征是：对基膜进行预处理在基膜表面上引入氢键供体后依次交替沉积氢键受体和带氢键供体粒子或者对基膜进行预处理在基膜表面上引入氢键受体后依次交替沉积带氢键供体粒子和氢键受体，所述带氢键供体粒子是由过量的氢键供体与氢键受体通过氢键作用结合而成的表面附着氢键供体的粒子，基膜表面的带氢键供体粒子随着交替次数的增加原位生长，通过控制粒子的原位生长实现雾度的控制，制得雾度膜。
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