[发明专利]一种SiCw/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法

摘要

一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法，本发明涉及一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法。本发明的目的是为了解决3D打印陶瓷成型试件后处理后孔隙率大，脆性大的问题。本发明方法为：SiC粉末和粘结剂粉末混合、制得陶瓷坯体，绘制SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的三维模型，设定3D打印机的参数，然后进行高温脱脂处理，再进行反复浸渍裂解，直至不再增重，即完成。本发明达到了致密和增韧的效果，孔隙率仅为8.5％，提高了陶瓷基复合材料的强度和韧性。本发明应用于SiC陶瓷基复合材料的制备领域。

主权项

1.一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：一、将SiC粉末与粘结剂粉末在V型混料机中混合，得到混合均匀的复合粉末，然后在恒温干燥箱中烘干，得到干燥后的复合粉末；将干燥后的复合粉末加入至3D打印机料箱中，铺平；二、绘制SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的三维模型，然后将其转换为STL格式文件；三、将STL格式文件导入3D打印机，设置分层厚度、填充速度、轮廓速度、填充间距、填充功率、轮廓功率、加热温度；然后启动设备，制备胚体，再将胚体降至室温，取出进行清粉处理；四、将清粉后的胚体放入高温烧结炉进行高温脱脂处理，然后进行反复浸渍裂解，直至不再增重，即完成。