[发明专利]ESD器件结构有效
| 申请号： | 201810071115.8 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108281420B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 邓樟鹏;苏庆;韦敏侠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ESD器件结构，包括：第一P‑LDMOS、第二P‑LDMOS和寄生SCR；所述第一P‑LDMOS和第二P‑LDMOS共用高压P阱(HVPW)，在第一P‑LDMOS漏极和第二P‑LDMOS漏极之间的高压P阱(HVPW)中设置N+区域形成的寄生SCR，所述第一P‑LDMOS和第二P‑LDMOS结构相同，以寄生SCR的N+区域为中心形成左右非对称结构。本发明能提高器件开启后的ESD能力，又能提高器件维持电压和电流，减小ESD器件的latch‑up风险的。 | ||
| 搜索关键词： | esd 器件 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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