[发明专利]一种碳化钨纳米阵列材料、其制备方法及用途有效
| 申请号： | 201810070110.3 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108203095B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 孙晓明;韩娜娜 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01B32/949 | 分类号： | C01B32/949;B82Y40/00;B01J27/22;B01J27/24;C02F1/04 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 杨兵 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化钨纳米阵列材料，包括基底材料和生长于基底材料上的碳化钨纳米阵列结构材料，所述碳化钨纳米阵列结构材料可以为氮掺杂或非氮掺杂；所述碳化钨纳米阵列结构包括纳米线阵列、纳米带阵列、纳米柱状阵列或纳米蹼状阵列。本发明还公开了所述碳化钨纳米阵列材料的制备方法及电催化析氢析氧以及高效光热蒸发净水的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化 纳米 阵列 材料 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种碳化钨纳米阵列材料，其特征在于，包括基底材料和生长于基底材料上的碳化钨纳米阵列结构材料。
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