[发明专利]一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法及系统有效
| 申请号： | 201810049422.6 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108256219B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 廖梦星 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法及系统，所述方法包括如下步骤：确定MOS晶体管的工艺失配参数，并通过加入面积因子geo_fac对各工艺失配参数进行修正以得到各工艺失配参数的修正量；于工艺失配参数的阈值电压的修正计算中加入相关性系数alphavth；根据失配数据调节部分工艺失配参数，以使饱和电流idsat和阈值电压vth的失配只有部分相关性，本发明解决MOS晶体管的器件失配模型的提取问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 器件 失配 模型 修正 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管的器件失配模型的修正方法，包括如下步骤：步骤一，确定MOS晶体管的工艺失配参数，并通过加入面积因子geo_fac对各工艺失配参数进行修正以得到各工艺失配参数的修正量；步骤二，于工艺失配参数的阈值电压的修正计算中加入相关性系数alphavth；步骤三，根据失配数据调节部分工艺失配参数，以使饱和电流idsat和阈值电压vth的失配只有部分相关性。
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