[发明专利]LED芯片电极及其制作方法和LED芯片有效
| 申请号： | 201810048297.7 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108258095B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 袁章洁;李康 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED芯片电极及其制作方法和LED芯片，制作方法包括：提供GaN晶片并在GaN晶片上制作光刻胶；蒸镀Cr金属层；在Cr金属层表面蒸镀Al金属层，蒸镀温度为20℃至50℃；在Al金属层表面蒸镀Ti金属层，蒸镀温度为20℃至50℃；在Ti金属层表面蒸镀Pt金属层，蒸镀温度为20℃至80℃；重复Ti金属层和Pt金属层的蒸镀，周期个数为1至3，Ti金属层的蒸镀镀率小于Al金属层的蒸镀镀率，Pt金属层的蒸镀镀率大于Al金属层的蒸镀镀率，使与Al金属层直接接触的Ti金属层将Al金属层的外表面完全包覆；在最后一个Ti金属层/Pt金属层周期的Pt金属层表面蒸镀Au金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸镀 金属层 金属层表面 制作 晶片 完全包覆 光刻胶 重复 申请 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片电极的制作方法，其特征在于，依次包括：提供包含透明导电层的GaN晶片，并在所述GaN晶片上制作光刻胶；利用氧气等离子体吹扫所述GaN晶片表面，去掉残留的光刻胶底膜；使用电子束蒸发台在所述GaN晶片的光刻胶表面蒸镀Cr金属层，所述Cr金属层的厚度为0.5nm至5nm；在所述Cr金属层背离所述光刻胶的表面蒸镀Al金属层，其中，所述Al金属层的厚度为80nm至200nm，蒸镀温度为20℃至50℃；在所述Al金属层背离所述Cr金属层的表面蒸镀Ti金属层，其中，所述Ti金属层的厚度为50nm至200mn，蒸镀温度为20℃至50℃；在所述Ti金属层远离所述Al金属层的表面蒸镀Pt金属层，其中，所述Pt金属层的厚度为30nm至100mn，蒸镀温度为20℃至80℃；重复所述Ti金属层和所述Pt金属层的蒸镀，使Ti金属层/Pt金属层的周期个数为1至3，其中，所述Ti金属层的蒸镀镀率小于所述Al金属层的蒸镀镀率，所述Pt金属层的蒸镀镀率大于所述Al金属层的蒸镀镀率，使与所述Al金属层直接接触的所述Ti金属层将所述Al金属层的外表面完全包覆；在最后一个Ti金属层/Pt金属层周期的所述Pt金属层背离所述Ti金属层的表面蒸镀Au金属层，所述Au金属层的厚度为800nm至2000nm。
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