[发明专利]一种沉浸式制备钙钛矿薄膜的设备及使用方法和应用有效

专利信息
申请号: 201810046196.6 申请日: 2018-01-17
公开(公告)号: CN110047774B 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 杭州纤纳光电科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L51/00;H01L51/42
代理公司: 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 代理人: 杨文华
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种沉浸式制备钙钛矿薄膜的设备,包括一密封腔室,在密封腔室内至少设置有一组半封闭反应器装置,半封闭反应器装置包括下加热升华装置和上加热台,在下加热升华装置的顶部设置有器皿,在器皿内盛载有反应物前体,在器皿的正上方设置有基片架,基片架遮罩在器皿的开口上,在器皿的侧面设置有基片架支撑平台,基片架设置在基片架支撑平台上,在基片架的下底面设置有待沉积的基片,基片上的待沉积面正朝向器皿中的反应物前体,上加热台设置在基片架上给基片加热。本发明还公开了使用该沉浸式制备钙钛矿薄膜的设备制备钙钛矿太阳能电池的方法。本发明可在制备过程中控制薄膜的晶体生长,提高成膜质量及均匀性和重复性。
搜索关键词: 一种 沉浸 制备 钙钛矿 薄膜 设备 使用方法 应用
【主权项】:
1.一种沉浸式制备钙钛矿薄膜的设备,包括一密封腔室,其特征在于,在所述密封腔室内至少设置有一组半封闭反应器装置,所述半封闭反应器装置包括下加热升华装置和上加热台,在所述下加热升华装置的顶部设置有开口朝上的器皿,在所述器皿内盛载有反应物前体,在所述器皿的正上方设置有基片架,所述基片架遮罩在器皿的开口上,在所述器皿的侧面设置有基片架支撑平台,所述基片架设置在基片架支撑平台上,在所述基片架的下底面设置有待沉积的基片,所述基片位于器皿的正上方,其上的待沉积面正朝向器皿中的反应物前体,所述上加热台设置在基片架上以加热基片,所述反应物前体被蒸发沉积到基片表面;控制密封腔室内的气压,控制上加热台和下加热升华装置的加热温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州纤纳光电科技有限公司,未经杭州纤纳光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810046196.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top