[发明专利]黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法有效
| 申请号： | 201810027427.9 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110031107B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;王广;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00;G01J5/53 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种黑体辐射源及一种黑体辐射源的制备方法。所述黑体辐射源包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其中，所述黑体辐射腔的内表面设置有一层黑漆和多个碳纳米管，该多个碳纳米管的一端浸没在所述黑漆中，另一端远离所述黑漆，且所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。所述黑体辐射源的制备方法包括以下步骤：提供一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面；在所述黑体辐射腔的内表面涂覆一层黑漆；在所述黑体辐射腔的内表面形成多个碳纳米管，该多个碳纳米管的一端浸没在所述黑漆中，另一端远离所述黑漆，且所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。 | ||
| 搜索关键词： | 黑体 辐射源 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种黑体辐射源，该黑体辐射源包括一黑体辐射腔，其特征在于，所述黑体辐射腔的内表面设置有一层黑漆和多个碳纳米管，该多个碳纳米管的一端浸没在所述黑漆中，另一端远离所述黑漆，且所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810027427.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：黑体辐射源
- 下一篇：黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法
