[发明专利]一种抗双节点翻转的锁存器有效
| 申请号： | 201810018509.7 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108055032B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 刘梦新;刘海南;赵发展;卜建辉;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供的一种抗双节点翻转的锁存器，涉及集成电路技术领域，所述锁存器包括：所述锁存器具有存储节点A、存储节点B、存储节点C、存储节点D、存储节点E、存储节点F、存储节点G；所述锁存器还具有：第一交叉耦合结构；第二交叉耦合结构；第三交叉耦合结构；第四交叉耦合结构；第五交叉耦合结构；第六交叉耦合结构；第七交叉耦合结构；第八交叉耦合结构；第九交叉耦合结构。解决了现有技术中的锁存器无法在小面积电路结构中实现抗双节点翻转的技术问题，使得本申请提供的锁存器达到了提高数字集成电路在恶劣条件下抗单粒子翻转的能力、抗双节点翻转、可靠性高、低面积开销的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 节点 翻转 锁存器 | ||
【主权项】：
1.一种抗双节点翻转的锁存器，其特征在于，所述锁存器包括：所述锁存器具有存储节点A、存储节点B、存储节点C、存储节点D、存储节点E、存储节点F、存储节点G；所述锁存器还具有：第一交叉耦合结构，所述第一交叉耦合结构的输入端接存储节点B，输出端接存储节点A；第二交叉耦合结构，所述第二交叉耦合结构的输入端接存储节点A，输出端接存储节点D；第三交叉耦合结构，所述第三交叉耦合结构的输入端接存储节点D，输出端接存储节点C；第四交叉耦合结构，所述第四交叉耦合结构的输入端接存储节点C，输出端接存储节点B；第五交叉耦合结构，所述第五交叉耦合结构的输入端接存储节点E，输出端接存储节点A；第六交叉耦合结构，所述第六交叉耦合结构的输入端接存储节点F，输出端接存储节点E；第七交叉耦合结构，所述第七交叉耦合结构的输入端接存储节点D，输出端接存储节点F；第八交叉耦合结构，所述第八交叉耦合结构的输入端接存储节点G，输出端接存储节点C；第九交叉耦合结构，所述第九交叉耦合结构的输入端接存储节点F，输出端接存储节点G。
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