[发明专利]一种Cu2在审

专利信息
申请号: 201810014685.3 申请日: 2018-01-08
公开(公告)号: CN108039388A 公开(公告)日: 2018-05-15
发明(设计)人: 许佳雄;林俊辉;庄楚楠 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/032
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 510006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池,由依次复合的衬底、背电极、背表面场层、吸收层、缓冲层、窗口层和前电极组成;所述背表面场层为Cu2ZnSn(S,Se)4背表面场层或非晶硅背表面场层;所述吸收层为Cu2ZnSn(S,Se)4吸收层。与现有技术相比,本发明提供的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池具有背表面场层,能够扩展Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的内建电场分布区域,提高Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的总内建电势,形成光生少子势垒,钝化Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池背表面,从而使得到的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池具有良好的光伏特性。
搜索关键词: 一种 cu base sub
【主权项】:
1.一种Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池,由依次复合的衬底、背电极、背表面场层、吸收层、缓冲层、窗口层和前电极组成;所述背表面场层为Cu2ZnSn(S,Se)4背表面场层或非晶硅背表面场层;所述吸收层为Cu2ZnSn(S,Se)4吸收层。
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