[发明专利]一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构

摘要

一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，包括：基底以及生长于基底上的N层DBR层，每层DBR层自下而上由低折射率材料层及高折射率材料层构成，该低折射率材料层由AlAs1‑xPx材料制成，该高折射率材料层由Al1‑yGayAs1‑zPz材料制成。通过P元素的掺入可以调节DBR层的晶格常数，使其等于或者接近GaAs基底，形成无应变、低应变或者具有应变补偿的DBR结构，由于没有应变积累，生长过程中不会产生外延片翘曲，获得平整、均匀的外延层。DBR由于没有应变积累，可以生长较多层数，获得较高的反射率。DBR层中P元素的占比很小，几乎不会影响材料的折射率，不会破坏DBR原有的光学性质。

主权项

1.一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，其特征在于，包括：基底(1)以及生长于基底(1)上的N层DBR层，每层DBR层自下而上由低折射率材料层(2)及高折射率材料层(3)构成，该低折射率材料层(2)由AlAs_1‑xP_x材料制成，其中x的取值范围为0.02≤x≤0.06，该高折射率材料层(3)由Al_1‑yGa_yAs_1‑zP_z材料制成，其中当y≥0.7时，z＝0，当y＜0.7时，z的取值范围为0.01≤z≤0.03。