[发明专利]辐射检测器的制作方法在审
| 申请号： | 201780089862.8 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN110537111A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 曹培炎;刘雨润 | 申请（专利权）人： | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T3/08 | 分类号： | G01T3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | <国际申请>=PCT/CN2017/08 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本文公开了一种制作辐射检测器的方法。该方法包括将凹陷部形成到衬底中，并在所述凹陷部中形成半导体单晶。半导体单晶可以是碲化锌镉(CdZnTe)单晶或碲化镉(CdTe)单晶。所述方法还包括在所述半导体单晶上形成电触点，并将所述衬底接合到另一衬底，在该衬底中或上包括电子系统。所述电子系统被连接到所述半导体单晶的电触点，并且被配置成处理所述半导体单晶基于吸收辐射粒子而产生的电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体单晶 衬底 电子系统 凹陷部 电触点 单晶 辐射检测器 吸收辐射 碲化锌镉 接合 碲化镉 粒子 配置 制作 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：/n将凹陷部形成到衬底中；/n在所述凹陷部中形成半导体单晶。/n
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