[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201780079200.2 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110088913A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;平松智记;本田龙之介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/82;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;杨美灵 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的第一导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；与第二氧化物的顶面及侧面接触的第二绝缘体；第二绝缘体上的第二导电体；以及与第二绝缘体及第二导电体的侧面接触的第三绝缘体。第二氧化物的厚度为第二氧化物的沟道宽度方向上的长度以上。第二导电体包括隔着第二绝缘体与第二氧化物的顶面和侧面相对的区域。第二氧化物的侧面的载流子密度大于第二氧化物的顶面的载流子密度。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 氧化物 导电体 半导体装置 载流子 侧面接触 顶面 沟道宽度方向 通态电流 侧面 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底上的第一导电体；所述第一导电体上的第一绝缘体；所述第一绝缘体上的第一氧化物；所述第一氧化物上的第二氧化物；与所述第二氧化物的顶面及所述第二氧化物的侧面接触的第二绝缘体；所述第二绝缘体上的第二导电体，所述第二导电体包括隔着所述第二绝缘体与所述第二氧化物的所述顶面和所述第二氧化物的所述侧面相对的区域；以及与所述第二绝缘体的侧面及所述第二导电体的侧面接触的第三绝缘体，其中，所述第二氧化物的厚度为所述第二氧化物的沟道宽度方向上的长度以上，并且，所述第二氧化物的所述侧面的载流子密度大于所述第二氧化物的所述顶面的载流子密度。
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