[发明专利]半导体衬底

摘要

提供半导体衬底，其具有缓冲层，所述缓冲层具有将由Al_xGa_1‑xN形成的第一晶体层及由Al_yGa_1‑yN形成的第二晶体层重复层叠而成的层叠结构，对缓冲层的截面在包含单一的第一晶体层的观察区域中进行TEM观察时，以深度D作为变量的HAADF‑STEM强度I(D)于深度Dmin处显示极小值Imin，于深度Dmax(Dmax＞Dmin)处显示极大值Imax，在位于比Dmin浅的位置的单调递减区域中I(D)从Imax与Imin的中间值Imid到Imin为止的深度方向距离DD1、与在位于比Dmin深的位置的单调递增区域中I(D)从Imin到Imax为止的深度方向距离DD2满足DD1≤0.3×DD2的条件。

主权项

1.半导体衬底，其具有基础衬底、器件形成层、和位于所述基础衬底与所述器件形成层之间的缓冲层，所述缓冲层具有由Al_xGa_1‑xN形成的第一晶体层及由Al_yGa_1‑yN形成的第二晶体层重复层叠而成的层叠结构，所述第一晶体层的平均Al组成AVG(x)及所述第二晶体层的平均Al组成AVG(y)满足0＜AVG(x)≤1、0≤AVG(y)＜1、及AVG(x)＞AVG(y)的条件，对所述缓冲层的截面在包含单一的所述第一晶体层的观察区域中进行TEM观察时，以深度D作为变量的HAADF‑STEM强度I(D)于深度Dmin处显示极小值Imin，于深度Dmax(Dmax＞Dmin)处显示极大值Imax，在位于比所述Dmin浅的位置的单调递减区域中所述I(D)从所述Imax与所述Imin的中间值Imid到所述Imin为止的深度方向距离DD1、与在位于比所述Dmin深的位置的单调递增区域中所述I(D)从所述Imin到所述Imax为止的深度方向距离DD2满足DD1≤0.3×DD2的条件。