[发明专利]金属膜的沉积在审
| 申请号： | 201780071909.8 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110024079A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯;仓富敬;海克·林;伊诚·陈;张镁 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在基板的高深宽比特征结构中的含硅表面上选择性地沉积含钛膜的方法包括等离子体功率在范围为约1毫瓦/cm2至小于约700毫瓦/cm2和频率在范围为约10kHz至约50MHz的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理。此钛膜可以范围为至少约1.3：1的金属性硅表面相对于二氧化硅表面的选择性而被选择性沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 等离子体增强化学气相沉积 等离子体功率 二氧化硅表面 选择性沉积 高深宽比 含硅表面 特征结构 硅表面 含钛膜 金属膜 金属性 基板 钛膜 | ||
【主权项】：
1.一种处理方法，包括以下步骤：在处理腔室内的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理期间，相对于第二表面，选择性地沉积金属膜于基板的第一表面上，所述第二表面是与所述基板的所述第一表面不同的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
