[发明专利]卤化物钙钛矿薄膜和包含其的太阳能电池及其形成方法有效
| 申请号： | 201780043145.1 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109478596B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 岑子健;安柯·索兰奇;林瑞贤;陈石 | 申请（专利权）人： | 南洋理工大学 |
| 主分类号： | H10K71/30 | 分类号： | H10K71/30;H10K30/10;H10K85/50;C30B7/04;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 新加坡南洋*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及卤化物钙钛矿薄膜的形成方法，将氧化氘与卤化物钙钛矿溶液混合以形成卤化物钙钛矿薄膜。卤化物钙钛矿溶液包含金属阳离子(例如铅离子、锡离子、锗离子或铋离子)、卤族阴离子和选自有机正离子(例如甲铵或甲脒正离子)和无机正离子(例如铯离子、铷离子或钾离子)中的至少一种。本申请还公开了包含具有一个或多个碳氘键的有机正离子的卤化物钙钛矿薄膜，以及包含所述卤化物钙钛矿薄膜的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 卤化物 钙钛矿 薄膜 包含 太阳能电池 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种卤化物钙钛矿薄膜的形成方法，包括：将氧化氘与卤化物钙钛矿溶液混合以形成卤化物钙钛矿薄膜；其中所述卤化物钙钛矿溶液包含金属阳离子、卤族阴离子和选自有机正离子和无机正离子中的至少一种。
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