[发明专利]磁存储元件在审
| 申请号： | 201780023289.0 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN109075252A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王玉玺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁存储元件包括第一磁性层，该第一磁性层具有垂直于第一磁性层的表面的方向上的易磁化轴。第一非磁性层在第一磁性层上。第二磁性层在第一非磁性层上，并且具有固定磁化方向。第二非磁性层在第二磁性层上。第三磁性层在第二非磁性层上，并且具有垂直于第三磁性层的表面的固定磁化方向。第三非磁性层在第三磁性层上。存储层在第三非磁性层上，并且具有可变磁化方向，具有垂直于存储层的表面的方向上的易磁化轴。第一磁性层的磁化方向的改变比存储层中的改变更容易。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性层 非磁性层 存储层 固定磁化方向 磁存储元件 易磁化轴 垂直 可变磁化方向 磁化方向 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储元件，包括：第一磁性层，所述第一磁性层具有垂直于第一磁性层的表面的方向上的易磁化轴；第一非磁性层，所述第一非磁性层在第一磁性层上；第二磁性层，所述第二磁性层在第一非磁性层上，并且具有固定磁化方向；第二非磁性层，所述第二非磁性层在第二磁性层上；第三磁性层，所述第三磁性层在第二非磁性层上，并且具有垂直于第三磁性层的表面的固定磁化方向；以及第三非磁性层，所述第三非磁性层在第三磁性层上；存储层，所述存储层在第三非磁性层上，并且具有可变磁化方向，具有垂直于存储层的表面的方向上的易磁化轴，其中，第二磁性层的固定磁化方向位于第三磁性层的固定磁化方向的反平行方向，并且其中，第一磁性层的磁化方向的改变比存储层中的改变更容易。
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