[实用新型]基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管有效
| 申请号： | 201721907549.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207676911U | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陈江钗;吴泽文;龚奎 | 申请（专利权）人： | 鸿之微科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 居瓅 |
| 地址： | 201206 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件，公开了一种基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管。在本实用新型的场效应晶体管中，弯曲的碳纳米管从源极穿过沟道区延伸到漏极，基于弯曲碳纳米管的场效应晶体管可以将场效应晶体管的尺寸做到几个纳米级别，并且在电子输运方面保持良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 碳纳米管 本实用新型 半导体器件 电子输运 纳米级别 沟道区 漏极 源极 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种基于弯曲碳钠米管的场效应晶体管，包括衬底(1)、栅极(2)、位于所述栅极(2)与所述衬底(1)之间的绝缘层(3)和位于所述栅极(2)两侧的源极(4)、漏极(5)，其特征在于，弯曲的碳纳米管从所述源极(4)穿过所述源极(4)与所述漏极(5)之间的沟道区(6)延伸到所述漏极(5)，所述绝缘层(3)覆盖所述沟道区(6)中的碳纳米管。
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