[实用新型]电子书触控板传感器用光电二极管有效

专利信息
申请号: 201721880634.6 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN208157435U 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 崔峰敏 申请(专利权)人: 傲迪特半导体(南京)有限公司
主分类号: H01L31/06 分类号: H01L31/06;H01L31/0256;H01L31/0312
代理公司: 江苏致邦律师事务所 32230 代理人: 徐蓓;尹妍
地址: 210024 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种电子书触控板传感器用光电二极管,低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层,形成PN结,低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环,所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上有碳纳米层,所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层,所述碳纳米层上有圆角正方形状接触孔,接触孔内沉积金属Al作为阳极,N型高阻硅衬底的背面沉积Cr/Au混合金属作为阴极。本实用新型的二极管尺寸小,寿命长,灵敏度高,适用于电子书触控板传感器。
搜索关键词: 高掺杂 衬底 低掺杂 触控板 传感器 光电二极管 接触孔 碳纳米 阴极 本实用新型 圆角正方形 二极管 沉积金属 混合金属 外延硅层 阳极 灵敏度 外凸起 沉积 背面
【主权项】:
1.一种电子书触控板传感器用光电二极管,低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层,形成PN结,低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环,其特征在于,所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上有碳纳米层,所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层;所述碳纳米层上有圆角正方形状接触孔,接触孔内沉积金属Al作为阳极,N型高阻硅衬底的背面沉积阴极;阴极电极和阳极电极外设有二氧化硅和氮化硅复合保护膜。
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