[实用新型]三片式外置电容式同步整流二极管有效

专利信息
申请号: 201721879409.0 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN208077957U 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 李明芬;吴南;吕敏;李联勋;马东平;王鹏 申请(专利权)人: 山东迪一电子科技有限公司
主分类号: H01L23/043 分类号: H01L23/043;H01L23/482
代理公司: 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 代理人: 周仕芳;卢登涛
地址: 272100 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型公开了三片式外置电容式同步整流二极管,三片式外置电容式同步整流二极管,包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、第三框架,所述第二框架设有一个外置引脚,控制IC芯片固定在第二框架上,第二框架一侧设有第三框架,第三框架设有一个外置引脚,第一框架设有一个外置引脚,MOSFET芯片固定在第一框架上;所述MOSFET芯片与控制IC芯片之间、控制IC芯片与第三框架之间、MOSFET芯片与第二框架之间、控制IC芯片与第一框架之间通过键合线连接。三片式外置电容式同步整流二极管,优化了结构,整合PAD可利用面积,排除了易造成不良的结构缺陷。
搜索关键词: 外置 控制IC芯片 同步整流二极管 电容式 三片式 引脚 本实用新型 结构缺陷 键合线 整合 优化
【主权项】:
1.三片式外置电容式同步整流二极管,其特征在于,包括第一框架(1)、MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、第二框架(4)、第三框架(5),所述第二框架(4)设有一个外置引脚,控制IC芯片(3)固定在第二框架(4)上,第二框架(4)一侧设有第三框架(5),第三框架(5)设有一个外置引脚,第一框架(1)设有一个外置引脚,MOSFET芯片(2)固定在第一框架(1)上;所述MOSFET芯片(2)与控制IC芯片(3)之间、控制IC芯片(3)与第三框架(5)之间、MOSFET芯片(2)与第二框架(4)之间、控制IC芯片(3)与第一框架(1)之间通过键合线连接。
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