[实用新型]一种用于晶圆减薄后卸片的装置有效
| 申请号： | 201721617022.8 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN207489823U | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 苗宏周 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710077 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种用于晶圆减薄后卸片的装置，不仅杜绝了晶圆N面划痕、卸片粘片现象，降低了晶圆碎片、裂片风险，同时也缩短了卸片时间，提高了卸片综合效率。晶圆的P面通过热剥离膜粘合在玻璃基板，晶圆的N面朝上，该装置包括冷板和非接触加热源，玻璃基板置于冷板上，所述非接触加热源位于晶圆以及玻璃基板的上方、面向晶圆N面。通过非接触远红外加热方式加热晶圆N面，砷化镓晶圆本身不吸收红外光，为全透射。热剥离膜升温速度快，加热均匀，反应充分，完全杜绝晶圆N面划痕及粘片现象，能够显著提高晶圆良率、晶圆卸片效率和砷化镓半导体芯片使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 卸片 玻璃基板 非接触 热剥离膜 加热源 砷化镓 划痕 减薄 冷板 粘片 红外光 半导体芯片 本实用新型 远红外加热 加热均匀 晶圆碎片 使用寿命 综合效率 全透射 粘合 朝上 加热 良率 裂片 吸收 | ||
【主权项】：
一种用于晶圆减薄后卸片的装置，所述晶圆的P面通过热剥离膜粘合在玻璃基板，晶圆的N面朝上，其特征在于：该装置包括冷板和非接触加热源，玻璃基板置于冷板上，所述非接触加热源位于晶圆以及玻璃基板的上方、面向晶圆N面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
