[实用新型]一种PECVD炉有效
| 申请号： | 201721482014.7 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN207483845U | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 叶荣文;褚玉宝;孙洪文;沈欢;吴军兰;甘职著 | 申请（专利权）人： | 中赣新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 南昌赣专知识产权代理有限公司 36129 | 代理人： | 文珊;张文宣 |
| 地址： | 335200 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种PECVD炉，包括有炉体、密封盖、密封塞，炉体呈管状，炉体上设有第一气压管，密封塞与炉体的内管口密封配合，密封盖设于密封塞远离炉体的一侧，密封盖与密封塞相对的一侧设有凹槽，密封盖上设有第二气压管，第二气压管一端设于凹槽内，第二气压管的另一端贯穿凹槽的侧壁；密封盖与炉体的外管口密封连接；密封盖、密封塞及炉体把凹槽封闭成一个密封空间。与现有技术相比，本实用新型能提高管内温度均匀性，简化密封与解密封的过程，提高密封性能，提高加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 密封盖 炉体 密封塞 气压管 本实用新型 温度均匀性 凹槽封闭 加工效率 密封空间 密封连接 密封配合 密封性能 远离炉体 解密封 内管口 外管口 侧壁 管内 密封 贯穿 | ||
【主权项】：
一种PECVD炉，包括有炉体(100)、密封盖(200)、密封塞(300)，所述炉体(100)呈管状，所述炉体(100)上设有第一气压管(101)，所述密封塞(300)与所述炉体(100)的内管口密封配合，所述密封盖(200)设于所述密封塞(300)远离所述炉体(100)的一侧，所述密封盖(200)与所述密封塞(300)相对的一侧设有凹槽(203)，所述密封盖(200)上设有第二气压管(201)，所述第二气压管(201)一端设于所述凹槽(203)内，所述第二气压管(201)的另一端贯穿所述凹槽(203)的侧壁；所述密封盖(200)与所述炉体(100)的外管口密封连接；所述密封盖(200)、所述密封塞(300)及所述炉体(100)把所述凹槽(203)封闭成一个密封空间。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
