[实用新型]一种新型硅外延片构造的绝缘栅双极型晶体管

摘要

本实用新型公开了一种新型硅外延片构造的绝缘栅双极型晶体管，包括栅极、发射极、集电极、四个N+区、两个P区、漂移区、缓冲区、注入区，两个P区嵌入漂移区上侧，两个P区之间形成第一隔离区间，栅极设置在两个P区之间；每两个N+区嵌入一个P区上侧，设置在同一个P区中的两个N+区隔离形成第二隔离区间并且在第二隔离区间设置发射极；所述集电极设置在注入区下侧，所述漂移区、缓冲区、注入区中的任一区域或任意两个区域或三个区域设置有扁平的掺杂腔，掺杂腔中设置有掺杂半导体。本实用新型中每个小层的厚度便能掌握的更加准确，如果其中一层出现误差，再在同区域的其他层中将该误差进行弥补，从而解决了厚度不均匀的问题。

主权项

一种新型硅外延片构造的绝缘栅双极型晶体管，包括栅极(1)、发射极(2)、集电极(3)、四个N+区(4)、两个P区(5)、漂移区(6)、缓冲区(7)、注入区(8)，所述漂移区(6)、缓冲区(7)、注入区(8)由上至下依次叠放，两个P区(5)嵌入漂移区(6)上侧，两个P区(5)之间形成第一隔离区间，栅极(1)设置在两个P区(5)之间；每两个N+区(4)嵌入一个P区(5)上侧，设置在同一个P区(5)中的两个N+区(4)隔离形成第二隔离区间并且在第二隔离区间设置发射极(2)；所述集电极(3)设置在注入区(8)下侧，其特征在于，所述漂移区(6)、缓冲区(7)、注入区(8)中的任一区域或任意两个区域或三个区域设置有扁平的掺杂腔(10)，掺杂腔(10)中设置有掺杂半导体。