[实用新型]背照式CMOS传感器的封装结构

摘要

本实用新型提供一种背照式CMOS传感器的封装结构，包括：重新布线层；背照式CMOS传感器结构，固定连接于所述重新布线层的第二面；逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第一面；封装材料，包覆于所述逻辑芯片；穿孔，形成于所述封装材料中；金属引线结构，制作于所述穿孔中，以实现所述重新布线层、所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片的电性引出。本实用新型采用重新布线层的方法实现背照式CMOS传感器、所述逻辑芯片与所述金属引线结构之间的电连接，具有封装体积小，传感性能及器件可靠性高的优点；只需通过在封装材料中开穿孔便可实现重新布线层的电性引出，不需要进行硅穿孔等工艺，可以大大节省工艺成本。

主权项

1.一种背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面；背照式CMOS传感器结构，固定连接于所述重新布线层的第二面；逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第一面，且所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片通过所述重新布线层实现电性连接；封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，并包覆于所述逻辑芯片；穿孔，形成于所述封装材料中且露出所述重新布线层；以及金属引线结构，制作于所述穿孔中，以实现所述重新布线层、所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片的电性引出。