[实用新型]晶体管器件的终端结构有效
| 申请号： | 201720978114.2 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN207097828U | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;张硕 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,屠志力 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶体管器件的终端结构，截止环结构包括两个部分内侧部分和外侧部分；在内侧部分，多晶硅场板与第一导电类型轻掺杂型漂移区通过栅氧化层相隔离，多晶硅场板上设有绝缘介质层，绝缘介质层上设有金属场板；金属场板通过孔结构穿过绝缘介质层与多晶硅场板电连接；在外侧部分，多晶硅场板与第一导电类型轻掺杂型漂移区通过栅氧化层相隔离，在外侧部分的最外侧，金属场板通过孔结构穿过绝缘介质层与第一导电类型轻掺杂型漂移区连接；当器件承受耐压时，会在截止环结构内侧部分栅氧化层下漂移区内感应出第一导电类型电荷，使该区域转变为第一导电类型重掺杂区域，因此耗尽层的横向展宽终止于此，能够有效保证击穿特性的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件的终端结构，其特征在于，器件的终端保护区(102)位于元胞区(101)外围，环绕包围元胞区(101)；终端保护区(102)包括由内而外方向设置的过渡区结构(D)、场限环结构(E)以及截止环结构(F)；截止环结构(F)位于终端保护区(102)内的最外侧；截止环结构(F)包括两个部分：内侧部分(F‑a)和外侧部分(F‑b)；内侧部分(F‑a)和外侧部分(F‑b)电性连通；在内侧部分(F‑a)，多晶硅场板(5‑4)与第一导电类型轻掺杂型漂移区(1)通过栅氧化层(4)相隔离，多晶硅场板(5‑4)上设有绝缘介质层(8)，绝缘介质层(8)上设有金属场板(10‑4)；金属场板(10‑4)通过孔结构穿过绝缘介质层(8)与多晶硅场板(5‑4)电连接；在外侧部分(F‑b)，多晶硅场板(5‑4)与第一导电类型轻掺杂型漂移区(1)通过栅氧化层(4)相隔离，多晶硅场板(5‑4)上设有绝缘介质层(8)，绝缘介质层(8)上设有金属场板(10‑4)；金属场板(10‑4)通过孔结构穿过绝缘介质层(8)与多晶硅场板(5‑4)电连接；在外侧部分(F‑b)的最外侧，金属场板(10‑4)通过孔结构穿过绝缘介质层(8)与第一导电类型轻掺杂型漂移区(1)连接；第一导电类型轻掺杂型漂移区(1)的外侧顶部形成有第二导电类型体区阱(6)；第二导电类型体区阱(6)顶部形成有连接金属场板(10‑4)的第二导电类型重掺杂子区(9)。
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