[实用新型]具有空腔的石墨烯基复合薄膜有效
| 申请号： | 201720798830.2 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN206921493U | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 汪际军 | 申请（专利权）人： | 全普光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/04 | 分类号： | H01B1/04;H01B5/00;H01P7/06;H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种具有空腔的石墨烯基复合薄膜，包括底层石墨烯薄膜；形成于底层石墨烯薄膜上的多个重复排列的纳米晶图案单元；每个纳米晶图案单元具有第一纳米晶阵列以及位于第一纳米晶阵列周围的第二纳米晶支撑柱；第二纳米晶支撑柱的顶部高于第一纳米晶阵列的顶部；顶层石墨烯薄膜覆盖于纳米晶图案单元顶部，并且与第二纳米晶支撑柱的顶部接触而与第一纳米晶阵列的顶部不接触，多个纳米晶图案单元与顶层石墨烯之间形成多个封闭空腔；其中，每个封闭空腔由顶层石墨烯薄膜、第二纳米晶支撑柱、第一纳米晶阵列之间围成。本实用新型的石墨烯基复合薄膜可以应用于天线而获得不同的频率响应，以及用于传感器获得不同的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 空腔 石墨 复合 薄膜 | ||
【主权项】：
一种具有空腔的石墨烯基复合薄膜，其特征在于，包括：底层石墨烯薄膜；形成于底层石墨烯薄膜上的多个重复排列的纳米晶图案单元；每个纳米晶图案单元具有第一纳米晶阵列以及位于第一纳米晶阵列周围的第二纳米晶支撑柱；第二纳米晶支撑柱的顶部高于第一纳米晶阵列的顶部；顶层石墨烯薄膜，覆盖于所述纳米晶图案单元顶部，并且与第二纳米晶支撑柱的顶部接触而与第一纳米晶阵列的顶部不接触，多个纳米晶图案单元与顶层石墨烯之间形成多个封闭空腔；其中，每个封闭空腔由顶层石墨烯薄膜、第二纳米晶支撑柱、第一纳米晶阵列之间围成。
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